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“碳化硅？”
施雨彤有些惊奇，看着江奕辰问道，“你这是打算把宽禁带半导体几个研究方向，都来一遍？”
和此前一同研究的氮化镓一样，碳化硅也是一种宽禁带半导体。
施雨彤虽然针对这方面研究不是特别多，但也有一定的了解。
禁带宽度大、临界击穿电场强度大，是其明显的特征。
从学术界来说，这一类材料，被称作第三代半导体材料。
而目前的主流是什么，第一代半导体材料，硅Si、锗Ge为代表的材料，是目前应用最为广泛的材料。
至于第二代，是指砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）这一类半导体材料，这类材料主要是用于射频、通讯等领域。
不过，这些代际划分，实验室里和实际运用又不一样。
有些技术看起来是未来，但技术无法量产、无法商用，只能是存在实验室。
反�
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